DIN 50454-1:2000 Испытание материалов для полупроводниковой техники - Определение дислокаций в монокристаллах полупроводников III-V-соединений - Часть 1: Арсенид галлия
Стандарт устанавливает метод выявления дислокаций в монокристаллах, имеющих форму стержня, образцов арсенида галлия с полированной, полированной, травленой или спиленной поверхностью, ориентированной в плоскостях кристалла (111)-Ga и (100), с использованием структурного травления и определения плотность на поверхности и локальное распределение этих дислокаций.#,,#
DIN 50454-1:2000 История
2000DIN 50454-1:2000 Испытание материалов для полупроводниковой техники - Определение дислокаций в монокристаллах полупроводников III-V-соединений - Часть 1: Арсенид галлия