DIN 50454-1:2000 Испытание материалов для полупроводниковой техники - Определение дислокаций в монокристаллах полупроводников III-V-соединений - Часть 1: Арсенид галлия - Стандарты и спецификации PDF

DIN 50454-1:2000
Испытание материалов для полупроводниковой техники - Определение дислокаций в монокристаллах полупроводников III-V-соединений - Часть 1: Арсенид галлия

Стандартный №
DIN 50454-1:2000
Дата публикации
2000
Разместил
German Institute for Standardization
состояние
Последняя версия
DIN 50454-1:2000
сфера применения
Стандарт устанавливает метод выявления дислокаций в монокристаллах, имеющих форму стержня, образцов арсенида галлия с полированной, полированной, травленой или спиленной поверхностью, ориентированной в плоскостях кристалла (111)-Ga и (100), с использованием структурного травления и определения плотность на поверхности и локальное распределение этих дислокаций.#,,#

DIN 50454-1:2000 История

  • 2000 DIN 50454-1:2000 Испытание материалов для полупроводниковой техники - Определение дислокаций в монокристаллах полупроводников III-V-соединений - Часть 1: Арсенид галлия



© 2023. Все права защищены.