GB/T 7576-1998
Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 7: Биполярные транзисторы. Раздел четвертый. Пустые подробные спецификации для корпусных биполярных транзисторов для усиления высоких частот. (Англоязычная версия)

Стандартный №: GB/T 7576-1998
язык: Китайский, Доступно на английском
Дата публикации: 1998
Разместил: General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China
Последняя версия: GB/T 7576-1998
заменять: GB/T 7576-1987

сфера применения: В этой пустой подробной спецификации изложены основные принципы формирования подробных спецификаций для высокочастотных усилительных биполярных транзисторов с номинальным корпусом, и все подробные спецификации в этом диапазоне должны соответствовать этой пустой подробной спецификации. Эта пустая подробная спецификация относится к серии GB/T4589.1-1989 «Общая спецификация для дискретных устройств и интегральных схем для полупроводниковых устройств» и GB/T 12560-1990 «Спецификация для дискретных устройств для полупроводниковых устройств» (IEC747-11: 1985) Одна из заготовок спецификации детали.

GB/T 7576-1998 История

1998 GB/T 7576-1998 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 7: Биполярные транзисторы. Раздел четвертый. Пустые подробные спецификации для корпусных биполярных транзисторов для усиления высоких частот.
0000 GB/T 7576-1987