DIN 50434:1986 Испытание материалов для полупроводниковой техники; обнаружение кристаллических дефектов в монокристаллическом кремнии методами травления на поверхностях {111} и {100}
Настоящий стандарт определяет метод определения кристаллографического совершенства монокристаллического кремния методом травления на поверхностях {111} и {100}. Он применим к легированному кремнию n- или p-типа с удельным сопротивлением до 0,005 см и плотностями дислокаций в пределах 100 и 100 000 см.#,,#
DIN 50434:1986 История
1986DIN 50434:1986 Испытание материалов для полупроводниковой техники; обнаружение кристаллических дефектов в монокристаллическом кремнии методами травления на поверхностях {111} и {100}