TIA-455-130-2007(2014)
Испытание лазерных диодов на долговечность при повышенных температурах

Стандартный №

TIA-455-130-2007(2014)

Дата публикации

2014

Разместил

(U.S.) Telecommunications Industries Association 

сфера применения

Хотя данное испытание предназначено для измерения набора параметров, характеризующих надежность группы устройств, определение энергии активации, обусловленной температурой или плотностью тока, выходит за рамки данного FOTP. Данное испытание предназначено для полупроводниковых лазерных диодов, используемых для передачи или накачки в телекоммуникационных приложениях. Если не указано иное, данная процедура применима ко всем полупроводниковым лазерным диодам, способным работать в режиме непрерывного излучения (CW), включая лазеры накачки, лазеры с прямой и внешней модуляцией, подходящие как для цифровых, так и для аналоговых приложений. Кроме того, данное испытание применимо к устройствам, монтируемым на подложке (без корпуса).

TIA-455-130-2007(2014) Ссылочный документ

• ANSI Z136.1 Американский национальный стандарт безопасного использования лазеров*， 2022-08-03 Обновление

Специальные темы по стандартам и нормам

стандарты и спецификации