EN 60749-44:2016 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 44. Метод испытания на эффект одиночного события (SEE), облученный нейтронным пучком, для полупроводниковых приборов
European Committee for Electrotechnical Standardization（CENELEC）
Последняя версия
EN 60749-44:2016
сфера применения
МЭК 60749-44:2016 устанавливает процедуру измерения эффектов единичного события (SEE) на полупроводниковых устройствах интегральных схем высокой плотности, включая способность полупроводниковых устройств с памятью сохранять данные при воздействии атмосферного нейтронного излучения, создаваемого космическими лучами. Чувствительность к однократным эффектам измеряется при облучении устройства нейтронным пучком известного потока. Этот метод испытаний можно применить к любому типу интегральных схем. ПРИМЕЧАНИЕ 1. Полупроводниковые устройства, находящиеся под высоким напряжением, могут подвергаться однократным эффектам, включая SEB, однократное перегорание и однократный разрыв затвора SEGR. По этому вопросу, который не рассматривается в этом документе, обратитесь к IEC 62396-4. ПРИМЕЧАНИЕ 2. – В дополнение к нейтронам высокой энергии некоторые устройства могут иметь мягкую частоту ошибок из-за низкой энергии (
EN 60749-44:2016 История
2016EN 60749-44:2016 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 44. Метод испытания на эффект одиночного события (SEE), облученный нейтронным пучком, для полупроводниковых приборов