GB/T 20228-2021 (Англоязычная версия) Монокристалл арсенида галлия

сфера применения: В настоящем документе указаны технические требования, методы испытаний, правила контроля, маркировка, упаковка, транспортирование, хранение, сопроводительная документация и форма заказа монокристалла арсенида галлия. Настоящий документ применим к монокристаллам арсенида галлия, выращенным методом жидкостного уплотнения Чохральского (LEC), методом вертикальной градиентной кристаллизации (VGF) и вертикальным методом Бриджмена (VB) для изготовления оптоэлектронных, микроэлектронных и других устройств. Монокристаллы GaAs, подходящие для горизонтального выращивания по Бриджмену (HB).

GB/T 20228-2021 Ссылочный документ

GB/T 13388 Способ измерения кристаллографической ориентации плоских поверхностей на пластинах и пластинах монокристаллического кремния рентгеновскими методами
GB/T 14264 Полупроводниковые материалы. Термины и определения
GB/T 14844 Обозначения полупроводниковых материалов
GB/T 1555 Метод определения кристаллической ориентации монокристалла полупроводника*， 2023-08-06 Обновление
GB/T 4326 Измерение подвижности Холла и коэффициента Холла внешними полупроводниковыми монокристаллами
GB/T 8760 Метод определения дислокационной плотности монокристаллического арсенида галлия