GB/T 41751-2022
Метод определения радиуса кривизны кристаллической плоскости пластин монокристаллической подложки GaN (Англоязычная версия)
- Стандартный №
- GB/T 41751-2022
- язык
- Китайский, Доступно на английском
- Дата публикации
- 2022
- Разместил
- General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China
- Последняя версия
- GB/T 41751-2022
- сфера применения
- В этом документе описан метод проверки радиуса кривизны кристаллической плоскости монокристаллической подложки нитрида галлия с использованием рентгеновского дифрактометра высокого разрешения. Настоящий документ применим к испытанию радиуса кривизны кристаллической поверхности монокристаллических подложек нитрида галлия, полученных химическим осаждением из паровой фазы и другими методами.Испытание радиуса кривизны кристаллической поверхности эпитаксиальных пластин нитрида галлия может быть выполнено со ссылкой на этот документ.
GB/T 41751-2022 Ссылочный документ
- GB/T 14264 Полупроводниковые материалы. Термины и определения
GB/T 41751-2022 История
- 2022 GB/T 41751-2022 Метод определения радиуса кривизны кристаллической плоскости пластин монокристаллической подложки GaN
