IEC 62979:2017 Фотоэлектрические модули. Байпасный диод. Испытание на тепловой разгон.

сфера применения: В этом документе представлен метод оценки того, подвержен ли байпасный диод, установленный в модуле, тепловому разгону или имеется ли достаточное охлаждение, чтобы он выдержал переход от режима прямого смещения к режиму обратного смещения без перегрева. Эта методика испытаний особенно подходит для испытаний диодов с барьером Шоттки@, которые имеют характеристику увеличения тока утечки в зависимости от напряжения обратного смещения при высокой температуре@, что делает их более восприимчивыми к тепловому выходу из-под контроля. Образцы для испытаний, в которых в качестве развязывающих диодов используются P/N-диоды, освобождаются от требуемого здесь испытания на тепловой разгон, поскольку способность P/N-диодов выдерживать обратное смещение достаточно высока.

IEC 62979:2017 История

2017 IEC 62979:2017 Фотоэлектрические модули. Байпасный диод. Испытание на тепловой разгон.