BS IEC 63068-1:2019
Полупроводниковые приборы. Критерии неразрушающего распознавания дефектов гомоэпитаксиальных пластин карбида кремния для силовых устройств - Классификация дефектов

Стандартный №

BS IEC 63068-1:2019

Дата публикации

2019

Разместил

British Standards Institution (BSI)

Последняя версия

BS IEC 63068-1:2019

сфера применения

Что такое BS IEC 63068-1 — Гомоэпитаксиальная пластина из карбида кремния? BS IEC 63068-1 — это первая часть международного стандарта, используемого для полупроводниковых устройств, который помогает классифицировать дефекты в гомоэпитаксиальной системе карбида кремния. Используя BS IEC 63068-1, вы можете производить полупроводниковые устройства хорошего качества. В стандарте BS IEC 63068-1 дана классификация дефектов в выращенных эпитаксиальных слоях 4H-SiC (карбида кремния). Дефекты классифицируются на основе их кристаллографической структуры и распознаются методами неразрушающего обнаружения, включая изображения OM (оптическая микроскопия) в светлом поле, PL (фотолюминесценция) и XRT (рентгеновская топография). Для кого предназначен стандарт BS IEC 63068-1 — Гомоэпитаксиальная пластина из карбида кремния? BS IEC 63068-1 о критериях неразрушающего распознавания дефектов в гомоэпитаксиальных пластинах карбида кремния, применимых для:

BS IEC 63068-1:2019 История

• 2019 BS IEC 63068-1:2019 Полупроводниковые приборы. Критерии неразрушающего распознавания дефектов гомоэпитаксиальных пластин карбида кремния для силовых устройств - Классификация дефектов