Графен, как двумерный материал с превосходными свойствами, демонстрирует широкие перспективы применения в электронике, оптике, механике и термодинамике. Его концентрация дефектов, ключевой параметр качества, напрямую влияет на ключевые свойства, такие как подвижность графена, теплопроводность и механические свойства.
| Стандартные размеры | GB/T 43341—2023 | Сравнительный анализ |
|---|---|---|
| Область применения | Однослойный графен с поперечным размером не менее $2\mu\mathrm{m}$ | Специально разработан для однослойного графена с упором на точное измерение концентрации дефектов. |
| Основной метод | Рамановская спектроскопия, основанная на соотношении площадей пиков D-режима и G-режима, $I_{\mathrm{D}}/I_{\mathrm{G}}$. | В сочетании с количественной зависимостью между концентрацией дефектов и соотношением площадей пиков предоставляется стандартизированный процесс измерения. |
| Требования к прибору | Конфокальный лазерный микроскоп Рамановский спектрометр с дополнительными длинами волн возбуждения $633~\mathrm{нм}$, 532~\mathrm{нм}$ и т. д. | Укажите параметры прибора и показатели производительности для обеспечения надежности результатов измерений. |
Конфокальный лазерный рамановский микроскоп должен соответствовать следующим условиям:
Рекомендуется подложка SiO2/Si толщиной $300~\mathrm{нм}$, которая подходит для образцов графена, подготовленных механическим расслоением, CVD и другими методами.
Ширина пика мод G и D отражает степень беспорядка в решетке графена. Если ширина пика составляет $\geqslant 35~\mathrm{cm}^{-1}$, образец находится в состоянии с высоким уровнем дефектов; в противном случае он находится в состоянии с низким уровнем дефектов.

© 2025. Все права защищены.