T/CASAS 017-2021
Терминология технологии микро-нанометаллического спекания широкозонных полупроводников (Англоязычная версия)

Стандартный №

T/CASAS 017-2021

язык

Китайский, Доступно на английском

Дата публикации

2021

Разместил

Group Standards of the People's Republic of China

Последняя версия

T/CASAS 017-2021

сфера применения

Полупроводниковые материалы третьего поколения относятся к широкозонным полупроводниковым материалам, ширина запрещенной зоны которых значительно больше, чем у полупроводников первого поколения (таких как кремний и германий) и полупроводников второго поколения (таких как арсенид галлия и фосфид индия). SiC и GaN являются основными. Он обладает превосходными свойствами, такими как большая запрещенная зона, сильное электрическое поле пробоя, высокая теплопроводность, высокая скорость дрейфа насыщения электронов и сильная радиационная стойкость.Полупроводниковые устройства третьего поколения (оптоэлектронные устройства, силовые устройства, радиочастотные устройства) используются в полупроводниковое освещение, бытовая электроника, мобильная связь 5G, транспортные средства на новой энергии, интеллектуальные сети, железнодорожный транспорт и другие области имеют широкие перспективы применения. Ожидается, что они прорвутся через узкое место традиционных полупроводниковых технологий и дополнят полупроводниковые технологии первого и второго поколения. Промышленная трансформация и модернизация, создание новых точек экономического роста играют важную роль и становятся новым стратегическим направлением мировой полупроводниковой промышленности. С появлением, развитием и коммерциализацией полупроводниковых приборов с широкой запрещенной зоной их уникальная устойчивость к высоким температурам ускоряет развитие температур перехода устройств с нынешних 150°C до 175°C или даже 200°C. Постоянное повышение температуры перехода выдвинуло более высокие требования и поставило новые задачи перед технологией соединения корпусов. В последние годы новая технология микро-нано-спекания металлов постепенно стала одной из наиболее важных технологий соединения для корпусов полупроводниковых модулей с широкой запрещенной зоной благодаря своим преимуществам, заключающимся в однокомпонентности, низкой температуре процесса и высокой температуре эксплуатации. Тем не менее, нынешняя технология микро-нано-металлоспеченных соединений все еще находится на начальной стадии продвижения. Коммуникация, валидация продукции и оценка качества создают определенные трудности. Поэтому необходимо формировать терминологические стандарты, исходя из реальных потребностей в стандартизации профессионально-технических терминов отрасли, что также имеет определенное направляющее значение для последующих подразделений предприятия, занимающихся разработкой данной технологии.

T/CASAS 017-2021 История

• 2021 T/CASAS 017-2021 Терминология технологии микро-нанометаллического спекания широкозонных полупроводников