SJ/T 11227-2000
Подробная спецификация электронных компонентов. Кремниевый высокочастотный силовой транзистор типа 3DA98 NPN. (Англоязычная версия)

Стандартный №

SJ/T 11227-2000

язык

Китайский, Доступно на английском

Дата публикации

2000

Разместил

Professional Standard - Electron

Последняя версия

SJ/T 11227-2000

заменять

SJ 1410-1978

сфера применения

Эта спецификация применима к кремниевым высокочастотным мощным транзисторам 3DA98. Она соответствует стандарту GB/T 7576-1998 «Полупроводниковые устройства. Дискретные устройства. Часть 7. Биполярные транзисторы. Часть 4. Биполярные транзисторы с высокочастотным усилением. пересмотрен первоначальный стандарт SJ 1410-78 «Кремниевый высокочастотный мощный транзистор NPN типа 3DA98» и соответствует GB/T 4589.1-1989 «Общие спецификации для полупроводниковых устройств, дискретных устройств и интегральных схем» и GB/T 12560-1999 класса. II требования «Технических условий на дискретные устройства полупроводниковых приборов». Стандарты, упомянутые в этой спецификации, включают GB/T 4587-1994 «Полупроводниковые дискретные устройства и интегральные схемы, часть 7, биполярные транзисторы», GB/T 4589.1-1989 «Общие спецификации для полупроводниковых устройств, дискретных устройств и интегральных схем», GB/T T4937- 1995 «Механические и климатические методы испытаний полупроводниковых приборов», GB/T 7581-1987 «Габаритные размеры полупроводниковых дискретных устройств» и GJB 128A-1997 «Методы испытаний полупроводниковых дискретных устройств».

SJ/T 11227-2000 История

• 2000 SJ/T 11227-2000 Подробная спецификация электронных компонентов. Кремниевый высокочастотный силовой транзистор типа 3DA98 NPN.
• 1979 SJ 1410-1978 Кремниевый высокочастотный мощный триод типа 3DA98 NPN

SJ/T 11227-2000 Подробная спецификация электронных компонентов. Кремниевый высокочастотный силовой транзистор типа 3DA98 NPN. было изменено на SJ 1410-1978 Кремниевый высокочастотный мощный триод типа 3DA98 NPN.

Специальные темы по стандартам и нормам

стандарты и спецификации