SJ 20176-1992 Полупроводниковое дискретное устройство. Подробная спецификация кремниевого NPN-транзистора малой мощности с высоким обратным напряжением типов 3DG3439 и 3DG3440. (Англоязычная версия)
1970SJ 20176-1992 Полупроводниковое дискретное устройство. Подробная спецификация кремниевого NPN-транзистора малой мощности с высоким обратным напряжением типов 3DG3439 и 3DG3440.