SJ 2380-1983 (Англоязычная версия) Подробная спецификация кремниевых планарных эпитаксиальных низкочастотных мощных транзисторов типа 3CD555, 3CD556 и 3CD655. - Стандарты и спецификации PDF

SJ 2380-1983
Подробная спецификация кремниевых планарных эпитаксиальных низкочастотных мощных транзисторов типа 3CD555, 3CD556 и 3CD655. (Англоязычная версия)

Стандартный №
SJ 2380-1983
язык
Китайский, Доступно на английском
Дата публикации
1983
Разместил
Professional Standard - Electron
состояние
 2010-02
Последняя версия
SJ 2380-1983

SJ 2380-1983 История

  • 1983 SJ 2380-1983 Подробная спецификация кремниевых планарных эпитаксиальных низкочастотных мощных транзисторов типа 3CD555, 3CD556 и 3CD655.



© 2023. Все права защищены.