SJ/T 1486-2016
Подробная спецификация полупроводникового дискретного устройства типа 3CG180, кремниевого PNP, высокочастотного транзистора с высоким обратным напряжением и малой мощности. (Англоязычная версия)

Стандартный №

SJ/T 1486-2016

язык

Китайский, Доступно на английском

Дата публикации

2016

Разместил

工业和信息化部

Последняя версия

SJ/T 1486-2016

заменять

SJ/T 1486-1979

SJ/T 1486-2016 История

• 2016 SJ/T 1486-2016 Подробная спецификация полупроводникового дискретного устройства типа 3CG180, кремниевого PNP, высокочастотного транзистора с высоким обратным напряжением и малой мощности.
• 0000 SJ/T 1486-1979