В этом документе описывается испытание на устойчивость к электростатическому разряду (ESD) байпасного диода дискретных компонентов и метод анализа данных. В методе испытаний байпасный диод подвергается стресс-тесту с прогрессивным электростатическим разрядом, а метод анализа обеспечивает средства для анализа и экстраполяции возникающих отказов с использованием двухпараметрической функции распределения Вейбулла. Целью настоящего документа является установление общего и воспроизводимого метода испытаний для определения устойчивости к перенапряжению диодов в соответствии с событием электростатического разряда во время процессов производства, упаковки, транспортировки или установки фотоэлектрических модулей. Этот документ не претендует на устранение причин электростатического разряда или на установление уровней годности или отказа для устройств с байпасными диодами. Пользователь несет ответственность за оценку уровня воздействия электростатического разряда с учетом конкретных обстоятельств. Данные, полученные с помощью этой процедуры, могут поддерживать квалификацию новых типов конструкций @ контроль качества входящего материала @ и/или определять необходимость дополнительного контроля электростатического разряда в производственном процессе. Наконец, этот документ не применяется к событиям, связанным с большими скачками энергии, такими как прямое или косвенное воздействие молнии @ события переключения конденсаторных батарей @ и т.п.