BS IEC 63068-2:2019
Полупроводниковые приборы. Критерии неразрушающего распознавания дефектов гомоэпитаксиальной пластины карбида кремния для силовых устройств - Метод контроля дефектов оптическим контролем

Стандартный №

BS IEC 63068-2:2019

Дата публикации

2019

Разместил

British Standards Institution (BSI)

Последняя версия

BS IEC 63068-2:2019

сфера применения

Что такое BS IEC 63068-2 — Гомоэпитаксиальная пластина карбида кремния (SiC)? BS IEC 63068 — это серия международных стандартов для полупроводниковых устройств, в которых указаны дефекты гомоэпитаксиальной пластины карбида кремния (SiC), используемой в полупроводниковых устройствах. BS IEC 63068-2 — это вторая часть серии документов, содержащая определения и рекомендации по использованию оптического контроля для обнаружения возникших дефектов в коммерчески доступных эпитаксиальных пластинах 4H-SiC (карбид кремния). БС МЭК 63068

BS IEC 63068-2:2019 История

• 2019 BS IEC 63068-2:2019 Полупроводниковые приборы. Критерии неразрушающего распознавания дефектов гомоэпитаксиальной пластины карбида кремния для силовых устройств - Метод контроля дефектов оптическим контролем