JEDEC JESD33B-2004 Стандартный метод измерения и использования температурного коэффициента сопротивления для определения температуры линии металлизации
(U.S.) Joint Electron Device Engineering Council Soild State Technology Association
сфера применения
Метод предназначен для определения температурного коэффициента сопротивления (при заданной температуре) тонкопленочных металлизаций на основе алюминия и меди, которые применяются в микроэлектронных схемах и приборах. Этот метод предназначен для оценки средней температуры линии металлизации, напряженной в ходе ускоренного электромиграционного стресс-теста, до того, как произойдет какое-либо необратимое изменение удельного сопротивления из-за приложенных напряжений плотности тока и температуры. Этот метод предназначен для использования линии испытания металлизации в качестве датчика температуры окружающей среды. Он использует заранее заданные значения температурного коэффициента сопротивления металлизации и сопротивления испытательной линии при эталонной температуре. Этот метод предназначен для использования в условиях, когда удельное сопротивление металлизации линейно зависит от температуры и не претерпевает необратимых изменений. Для металлизации алюминия линейная зависимость сохраняется примерно до 420 ºC, что значительно превышает ожидаемые температуры напряжения. Для металлизаций меди отклонение от линейной зависимости становится очевидным уже при температуре 200 °С. Для меди используется корректирующая функция для коррекции отклонений от линейности при более высоких температурах. Этот метод применим к испытательным линиям металлизации с переходными отверстиями или без них, а также с оксидными или низко-k диэлектриками. Хотя метод предназначен для использования с металлизациями на основе алюминия и меди, его также можно использовать с другими металлами и сплавами в условиях, которые удовлетворяют условиям линейной зависимости и стабильности, указанным в предыдущих параграфах. Структура металлизации, используемая в этом методе, может быть измерена на пластине или ее части или как часть тестового чипа, прикрепленного к корпусу и электрически доступного через клеммы корпуса.