TIA-455-130-2001(2014)
TIA-455-1 Испытание на долговечность при повышении температуры до 30°C для лазерных диодов

Стандартный №

TIA-455-130-2001(2014)

Дата публикации

2014

Разместил

(U.S.) Telecommunications Industries Association 

сфера применения

Хотя данное испытание предназначено для измерения набора параметров, характеризующих надежность группы устройств, определение энергии активации, обусловленной температурой или плотностью тока, выходит за рамки данного FOTP. Данное испытание предназначено для полупроводниковых лазерных диодов, используемых в телекоммуникационных приложениях для передачи или накачки. Если не указано иное, данная процедура применима ко всем полупроводниковым лазерным диодам, способным работать в режиме непрерывной генерации (CW), включая лазеры накачки, лазеры с прямой и внешней модуляцией, а также лазеры, используемые как в цифровых, так и в аналоговых приложениях. Кроме того, данное испытание применимо к устройствам, установленным в корпусе (без корпуса).

TIA-455-130-2001(2014) Ссылочный документ

• ANSI Z136.1 Американский национальный стандарт безопасного использования лазеров

Специальные темы по стандартам и нормам

стандарты и спецификации