SP5.3.3-2018 Испытание чувствительности к электростатическому разряду Испытание модели заряженного устройства (CDM) — низкоомный контактный CDM на уровне компонентов как альтернативный метод определения характеристик CDM
Настоящая стандартная практика устанавливает порядок испытаний устройств и микросхем по их предрасположенности (чувствительности) к повреждению или деградации при воздействии определенного контактного электростатического разряда МДМ (ЭСР). Все корпусированные полупроводниковые устройства@ тонкопленочные схемы@ устройства на поверхностных акустических волнах (ПАВ)@ оптоэлектронные устройства@ гибридные интегральные схемы (HIC)@ и многокристальные модули (MCM), содержащие любое из этих устройств, могут быть охарактеризованы в соответствии с этой стандартной практикой. ЦЕЛЬ Целью данной стандартной практики является определение метода контактных испытаний с низким импедансом для определения характеристик модели заряженного устройства (CDM).