T/IAWBS 020-2024 (Англоязычная версия) Метод испытаний глубоких дефектов эпитаксиальных слоев карбида кремния. Метод переходной емкости. - Стандарты и спецификации PDF

T/IAWBS 020-2024
Метод испытаний глубоких дефектов эпитаксиальных слоев карбида кремния. Метод переходной емкости. (Англоязычная версия)

Стандартный №
T/IAWBS 020-2024
язык
Китайский, Доступно на английском
Дата публикации
2024
Разместил
Group Standards of the People's Republic of China
Последняя версия
T/IAWBS 020-2024
 

сфера применения
В этом документе описан метод измерения дефектов глубокого уровня в эпитаксиальных материалах из карбида кремния (SiC) с использованием спектроскопии переходных процессов на глубоких уровнях в технологии переходной емкости. Этот документ подходит для измерения глубоких уровней энергии, создаваемых примесями и дефектами в эпитаксиальном слое карбида кремния в запрещенной зоне полупроводника. Этот метод позволяет получить такие параметры, как энергия активации, концентрация и сечение захвата глубоких энергетических уровней.

T/IAWBS 020-2024 История

  • 2024 T/IAWBS 020-2024 Метод испытаний глубоких дефектов эпитаксиальных слоев карбида кремния. Метод переходной емкости.

Специальные темы по стандартам и нормам

стандарты и спецификации

BS IEC 63068-1:2019 Полупроводниковые приборы. Критерии неразрушающего распознавания дефектов гомоэпитаксиальных пластин карбида кремния для силовых устройств - Классификация DIN 50446:1995 Испытание материалов для полупроводниковой техники. Определение типов дефектов и плотности дефектов эпитаксиальных слоев кремния ASTM F80-94 BS IEC 63068-3:2020 Полупроводниковые приборы. Критерии неразрушающего распознавания дефектов гомоэпитаксиальной пластины карбида кремния для силовых устройств - Метод контроля DIN 50437:1979 Испытание полупроводниковых неорганических материалов; измерение толщины эпитаксиального слоя кремния методом инфракрасной интерференции ASTM F1388-92(2000 IEC 63068-2:2019 Полупроводниковые приборы. Критерии неразрушающего распознавания дефектов гомоэпитаксиальной пластины карбида кремния для силовых устройств. Часть 2. Метод ASTM F978-90(1996)e1 Стандартный метод испытаний для определения характеристик глубоких уровней полупроводников с помощью методов измерения переходной емкости ASTM F978-02 ASTM F419-94



© 2024. Все права защищены.