T/CASAS 005-2022 Метод динамического испытания сопротивления открытого состояния GaN-транзистора с высокой подвижностью электронов (HEMT) в схемах с жестким переключением (Англоязычная версия)
В этом документе описан метод испытаний динамического сопротивления открытого состояния транзисторов с высокой подвижностью электронов (HEMT) из нитрида галлия (GaN), используемых в переключающих схемах с жестким переключением. Этот документ подходит для таких рабочих сценариев, как производственные исследования и разработки, характеристика, испытания массового производства, оценка надежности и оценка применения GaN HEMT. Может применяться к следующим устройствам: а) дискретным силовым электронным устройствам в режиме усиления и режиме обеднения GaN; б) интегральные силовые схемы на основе GaN; в) Продукты выше уровня пластин и уровня упаковки.
T/CASAS 005-2022 История
2022T/CASAS 005-2022 Метод динамического испытания сопротивления открытого состояния GaN-транзистора с высокой подвижностью электронов (HEMT) в схемах с жестким переключением